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吉致電子拋光材料 源頭廠(chǎng)家
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藍寶石激光領(lǐng)域視窗拋光液
藍寶石激光領(lǐng)域視窗拋光液

  藍寶石激光領(lǐng)域視窗具有 Mohs 9硬度、平整度到<1/20λ,表面粗糙度0.3nm。按照尺寸從0.5英寸 到30英寸和不同壁厚度的規格制造,包括階梯邊緣、橢圓形邊緣望造、孔、槽和楔角。  藍寶激光領(lǐng)域視窗對快速移動(dòng)的沙子、鹽水和其他顆粒物具有抵抗力,非常適合所有類(lèi)型的激光武器系統、大功率微波和其他需要極其平坦和堅固的光學(xué)技術(shù)的應用。  吉致電子藍寶石激光領(lǐng)域視窗拋光液,具有良好的穩定性,提高藍寶石視窗片拋光速率的同時(shí)保證藍寶石表面光滑、無(wú)缺陷的全局平坦化質(zhì)量。無(wú)錫吉致電子科

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半導體晶圓CMP化學(xué)機械研磨拋光的原因
半導體晶圓CMP化學(xué)機械研磨拋光的原因

 什么是CMP化學(xué)機械研磨拋光?CMP(Chemical Mechanical Polishing)其實(shí)為化學(xué)與機械研磨(C&MP)的意思,化學(xué)作用與機械作用平等。目前CMP已成為半導體制程主流,其重要的原因主要有二:①為了縮小芯片面積,因此采用集成度高、細線(xiàn)化的多層金屬互連線(xiàn)(七層以上),因線(xiàn)寬極細,且需多層堆疊,故光刻制程即為一關(guān)鍵步驟。若晶圓表面凹凸不平,平坦度差,則會(huì )影響光刻精確度,因此需以CMP達成晶圓上金屬層間之全面平坦化(Global Planarization)。②為了降低元件之電

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LT鉭酸鋰晶片的CMP拋光液
LT鉭酸鋰晶片的CMP拋光液

鉭酸鋰LiTaO3作為非線(xiàn)性光學(xué)晶體、電光晶體、壓電晶體、聲光晶體和雙折射晶體等在現今以光技術(shù)產(chǎn)業(yè)為中心的IT 產(chǎn)業(yè)中得到了廣泛的應用。 晶體材料的結構與其光學(xué)性能息息相關(guān),鉭酸鋰LT晶體是一種優(yōu)良的多功能材料,具有很高的應用價(jià)值。LiTaO3晶體以它的化學(xué)性能穩定高(不溶與水),居里點(diǎn)高于600℃,不易出現退極化現象,介電損耗低,探測率優(yōu)值高的優(yōu)良特性,成為熱釋電紅外探測器的應用材料。  經(jīng)過(guò)CMP拋光的LT晶片廣泛用于諧振器、濾波器、換能器等電子通訊器件的制造,尤其以它良好的機電耦合、溫度系數等綜合性

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看懂SIC碳化硅襯底研磨加工技術(shù)
看懂SIC碳化硅襯底研磨加工技術(shù)

碳化硅SiC襯底因其脆硬性特性再疊加大尺寸化、超薄化的放大效應,給現有的加工技術(shù)帶來(lái)了巨大的挑戰,被視為典型難加工材料。高效率、高質(zhì)量的碳化硅襯底加工技術(shù)成了當下的研究熱點(diǎn)。  碳化硅相較于第一、二代半導體材料具有更優(yōu)良的熱學(xué)、電學(xué)性能,如寬禁帶、高導熱、高溫度穩定 性和低介電常數等,這些優(yōu)勢使得以碳化硅為代表的寬禁帶半導體材料廣泛應用于高溫、高頻、高功率 以及抗輻射等極端工況.作為高性能微電子和光 電子器件制造的襯底基片,碳化硅襯底加工后的表面、亞表面質(zhì)量對器件的使用性能有著(zhù)極為重要的影響。因

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碳化硅襯底平坦化使用的是什么工藝?
碳化硅襯底平坦化使用的是什么工藝?

  碳化硅是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。  第三代半導體,由于在物理結構上具有能級禁帶寬的特點(diǎn),又稱(chēng)為寬禁帶半導體,主要是以氮化鎵和碳化硅為代表,其在半導體性能特征上與第一代的硅、第二代的砷化鎵有所區別,使得其能夠具備高禁帶寬度、高熱導率、高擊穿場(chǎng)強、高電子飽和漂移速率等優(yōu)勢,從而能夠開(kāi)發(fā)出更適應高溫、高功率、高壓、高頻以及抗輻射等惡劣條件的小型化功率半導體器件,可有效突破傳統硅基功率半導體器件及其材料的物理極限。  化學(xué)

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碳化硅SIC襯底的加工難度有哪些?
碳化硅SIC襯底的加工難度有哪些?

  襯底是所有半導體芯片的底層材料,起到物理支撐、導熱、導電等作用。有數據顯示,襯底成本大約占晶圓加工總成本的50%,外延片占25%,器件晶圓制造環(huán)節20%,封裝測試環(huán)節5%。  SiC碳化硅襯底不止貴生產(chǎn)工藝還復雜,與Si硅片相比,SiC很難處理。SiC單晶襯底加工過(guò)程包括單晶多線(xiàn)切割、研磨、拋光、清洗最終得到滿(mǎn)足外延生長(cháng)的襯底片。碳化硅是世界上硬度排名第三的物質(zhì),不僅具有高硬度的特點(diǎn),高脆性、低斷裂韌性也使得其磨削加工過(guò)程中易引起材料的脆性斷裂從而在材料表面留下表面破碎層,且產(chǎn)生較為嚴重的表

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氮化鋁/氮化硅(AlN/SiN)陶瓷基板的研磨拋光
氮化鋁/氮化硅(AlN/SiN)陶瓷基板的研磨拋光

  氮化鋁/氮化硅(AlN/SiN)陶瓷基板的研磨拋光,需要用粗拋和精拋兩道工藝。粗拋液用來(lái)研磨快速去除表面缺陷和不良,精細拋光液用來(lái)平坦工件表面提升精度。吉致電子陶瓷專(zhuān)用研磨液/拋光液能減少研磨時(shí)間,同時(shí)提高陶瓷工件拋光的質(zhì)量,幫助客戶(hù)縮短工時(shí)提高工作效率。 陶瓷基板的研磨過(guò)程一般包括雙面研磨(35-60分鐘)和精細拋光(120分鐘)。在不到2.5小時(shí)的時(shí)間里,得到10-15納米的Ra。 氮化鋁/氮化硅散熱襯底拋光方案:①雙面研磨(35-60分鐘)搭配吉致電子類(lèi)多晶研磨液 ②超精細拋

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吉致電子1um/3um/6um/7μm/9μm金剛石拋光液和研磨液
吉致電子1um/3um/6um/7μm/9μm金剛石拋光液和研磨液

  吉致電子金剛石拋光液/研磨液包括單晶拋光液、多晶拋光液和類(lèi)多晶拋光液。金剛石研磨液分為水基和油基兩類(lèi)。  吉致電子1um/3um/6um/7μm/9μm金剛石拋光液金剛石拋光液濃度高,金剛石粒徑均勻,懸浮液分散充分。其特點(diǎn)是不結晶、不團聚,磨削力強,拋光效果好??梢詽M(mǎn)足高硬度材料、精密的微小元器件、高質(zhì)量表面要求的材料拋光需求。  金剛石拋光液采用優(yōu)質(zhì)金剛石微粉,結合吉致專(zhuān)利配方工藝,調配的CMP專(zhuān)用拋光液可最大限度的提高切削力和拋光效率。在實(shí)際使用中工件研磨速率穩定,材料去除率高

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吉致電子榮獲第四屆亞太碳化硅及相關(guān)材料國際會(huì )議“優(yōu)秀組織獎”
吉致電子榮獲第四屆亞太碳化硅及相關(guān)材料國際會(huì )議“優(yōu)秀組織獎”

  2023年11月8日-10日第四屆亞太碳化硅及相關(guān)材料國際會(huì )議(APCSCRM 2023)在北京圓滿(mǎn)落幕。本次會(huì )議聚焦寬禁帶半導體相關(guān)材料及器件多學(xué)科主題,邀請全球60余位知名專(zhuān)家學(xué)者、龍頭企業(yè)、資本機構蒞臨會(huì )議現場(chǎng),通過(guò)大會(huì )報告、專(zhuān)場(chǎng)報告、高峰論壇、口頭報告、項目路演和墻報等形式,分享全球寬禁帶半導體技術(shù)最新研究進(jìn)展,交換產(chǎn)業(yè)前瞻性觀(guān)點(diǎn),展示企業(yè)先進(jìn)成果,促進(jìn)行業(yè)互聯(lián)互通。    吉致電子科技有限公司出席了此次會(huì )議,并在會(huì )議期間設有展臺。吉致電子的代表們與全球各地的專(zhuān)家

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吉致電子科技碳化硅研磨液的作用
吉致電子科技碳化硅研磨液的作用

  碳化硅研磨液的作用是去除切割過(guò)程中造成的SiC切片表面的刀痕以及表面損傷層。由于SiC的高硬度,研磨過(guò)程中必須使用高硬度的磨料(如碳化硼或金剛石粉)研磨SiC切片的晶體表面。研磨根據粗磨和精磨工藝的不同分別使用粗磨液、精磨液。  SiC粗磨液主要是去除切割造成的刀痕以及切割引起的變質(zhì)層,研磨液中會(huì )使用粒徑較大的磨粒,以提高加工效率。碳化硅晶圓精磨液主要是去除粗磨留下的表面損傷層,改善表面光潔度,并控制表面面形和晶片的厚度,利于后續的精細拋光,因此使用粒徑較細的磨粒研磨晶片。  為獲

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吉致電子手機中框拋光液及智能穿戴設備表面處理
吉致電子手機中框拋光液及智能穿戴設備表面處理

手機中框、智能穿戴設備表面處理,有拋光、噴砂等工藝。吉致電子3C產(chǎn)品專(zhuān)用拋光液及拋光耗材,速率快效果好。手機中框對于鏡面拋光要求非常高,需要達到鏡面效果,鈦合金相比其他鋁合金、不銹鋼等金屬是相對較硬的材質(zhì)手機中框鏡面拋光可以用氧化鋁拋光液搭配拋光皮達到一個(gè)高亮面的效果,其效果可達到:1.懸浮性好,不易沉淀;2.顆粒分散均勻,不團聚,軟硬度適中,有效避免拋光過(guò)程中由于顆粒團聚導致 的工件表面劃傷缺陷。3.運用拋光過(guò)程中的化學(xué)新作用,提高拋光速度,改善拋光表面的質(zhì)量。4.分散性好、乳液均一,程度提升拋光速率的同時(shí)降低微

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藍寶石襯底研磨用什么拋光液
藍寶石襯底研磨用什么拋光液

  CMP工藝怎么研磨藍寶石襯底?需要搭配什么拋光液?藍寶石拋光萬(wàn)能公式:粗拋、中拋、精拋,每道工序使用不同磨料的拋光液和拋光PAD:①藍寶石CMP粗磨:藍寶石襯底粗磨可以選擇硬度高切削力強的吉致金剛石研磨液,搭配金剛石磨盤(pán),速率高效果好可有效去除藍寶石表面的不平和劃痕。②藍寶石CMP中拋:這一步可以用銅盤(pán)+小粒徑的金剛石研磨液,用來(lái)去除粗拋留下的紋路,為鏡面拋光做前期準備。③藍寶石CMP精拋:CMP精拋是藍寶石襯底最后一道工序,需要用到拋光墊+納米氧化硅拋光液來(lái)收光,呈現平坦無(wú)暇的鏡面效果。 

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半導體先進(jìn)制程PAD拋光墊國產(chǎn)替代進(jìn)行中
半導體先進(jìn)制程PAD拋光墊國產(chǎn)替代進(jìn)行中

  國內半導體制造的崛起加速推動(dòng)了半導體材料的國產(chǎn)化進(jìn)程。在政策、資金以及市場(chǎng)需求的帶動(dòng)下,我國集成電路產(chǎn)業(yè)迅猛發(fā)展,帶動(dòng)上游材料需求增長(cháng)。先進(jìn)制程CMP拋光液及CMP拋光墊用量大增,國產(chǎn)替代進(jìn)行中。  CMP拋光墊(CMP PAD)一般分為聚氨酯拋光墊、無(wú)紡布拋光墊、阻尼布拋光墊等,高精密研磨拋光墊應用于半導體制作、平面顯示器、玻璃光學(xué)、各類(lèi)晶圓襯底、高精密金屬已經(jīng)硬盤(pán)基板等產(chǎn)業(yè),目前主要型號有 IC1000、IC1400、IC2000、SUBA等,其中IC1000和SUBA是用得最廣的。&n

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CMP在半導體晶圓制程中的作用
CMP在半導體晶圓制程中的作用

  化學(xué)機械拋光(CMP)是實(shí)現晶圓全局平坦化的關(guān)鍵工藝,通過(guò)化學(xué)腐蝕與機械研磨的協(xié)同配合作用,利用CMP拋光液、拋光機和拋光墊等CMP拋光研磨耗材實(shí)現晶圓表面多余材料的去除與納米級全局平坦化。簡(jiǎn)單來(lái)講,半導體晶圓制程可分為前道和后道 2 個(gè)環(huán)節。前道指晶圓的加工制造,后道工藝是芯片的封裝測試。  前道加工領(lǐng)域CMP主要負責對晶圓表面實(shí)現平坦化。后道封裝領(lǐng)域CMP 工藝用于先進(jìn)封裝環(huán)節的拋光。  晶圓制造前道加工環(huán)節主要包括 7 個(gè)相互獨立的工藝流程:光刻、刻蝕、薄膜生長(cháng)、擴散、離子注

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TSV拋光液---半導體3D封裝技術(shù)Slurry
TSV拋光液---半導體3D封裝技術(shù)Slurry

  TSV全稱(chēng)為:Through -Silicon-Via,中文譯為:硅通孔技術(shù)。它是通過(guò)在芯片和芯片之間、晶圓和晶圓之間制作垂直導通;TSV技術(shù)通過(guò)銅、鎢、多晶硅等導電物質(zhì)的填充,實(shí)現硅通孔的垂直電氣互連,實(shí)現芯片之間互連的最新技術(shù)。TSV也是繼線(xiàn)鍵合(Wire Bonding)、TAB和倒裝芯片(FC)之后的第四代封裝技術(shù)。  TSV工藝的優(yōu)勢:可以通過(guò)垂直互連減小互聯(lián)長(cháng)度,減小信號延遲,降低電容電感,實(shí)現芯片間的低功耗,高速通訊,增加寬帶和實(shí)現器件集成的小型化。吉致電子JEEZ用于3D封裝

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藍寶石窗口平面加工--藍寶石研磨液
藍寶石窗口平面加工--藍寶石研磨液

 藍寶石平面視窗、精密質(zhì)量藍寶石視窗、高精度質(zhì)量藍寶石視窗是為各種光學(xué)、機械和電子應用提供了強度、耐磨性、化學(xué)惰性適用于光學(xué)和激光應用,這些藍寶石窗口設計用于關(guān)鍵的光學(xué)和激光應用。藍寶石窗口的制程中關(guān)鍵步驟需要用到CMP研磨拋光工藝,藍寶石研磨液適合用于大批量藍寶石窗口的生產(chǎn)應用。  藍寶石拋光液以高純度氧化硅原料制備而成,具有懸浮性好,不易結晶,易清洗等特點(diǎn)。用于藍寶石工件的鏡面研磨,研磨后的工件表面粗糙度低,無(wú)劃傷,表面質(zhì)量度高。吉致電子生產(chǎn)研發(fā)的藍寶石窗口CMP拋光研磨液,性能穩

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什么是OX研磨液?吉致電子氧化層拋光液性能有哪些?
什么是OX研磨液?吉致電子氧化層拋光液性能有哪些?

  Oxide slurry 簡(jiǎn)稱(chēng)OX氧化物研磨液廣泛用于氧化層材料的CMP拋光,拋光研磨后達到精準的表面平整度和厚度控制,如Si Wafer晶圓表面的氧化硅層或者上層金屬與氧化硅之間的氧化硅層等。  吉致電子OX氧化層拋光液適用于4-12英寸氧化硅鍍膜片的氧化層拋光液。JEEZ半導體拋光液性能優(yōu)點(diǎn):①使用純度高的納米拋光磨料,擁有高速率加工能力;②slurry粒徑大小均勻因此能獲得無(wú)缺陷的表面;③ 吉致Oxide slurry 易清洗無(wú)殘留,對后續工藝影響小。 

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半導體行業(yè)CMP化學(xué)機械平坦化工藝Slurry
半導體行業(yè)CMP化學(xué)機械平坦化工藝Slurry

  Chemical Mechanical Plamarization化學(xué)機械平坦化工藝,應用于各種集成電路及半導體行業(yè)等減薄與平坦化加工。  CMP工藝融合了化學(xué)研磨和物理研磨的過(guò)程,而單一的化學(xué)或物理研磨在表面精度、粗糙度、均勻性、材料去除率及表面損失程度上都不能同時(shí)滿(mǎn)足要求。CMP工藝兼具了二者的優(yōu)點(diǎn),通過(guò)拋光液/研磨液(slurry)與拋光墊(Pad)化學(xué)機械作用,在保證材料去除效率的同時(shí),得到準確的表面材料層的厚度,獲得較好的晶圓表面平坦度和均勻性,實(shí)現納米級甚至原子級的表面粗糙度,同

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CMP金剛石懸浮液/研磨液的特點(diǎn)及應用
CMP金剛石懸浮液/研磨液的特點(diǎn)及應用

吉致電子金剛石研磨液產(chǎn)品特點(diǎn):(1)磨料類(lèi)型多樣化,包含單晶、多晶、類(lèi)多晶及納米級金剛石等;(2)金剛石懸浮液包含水性、油性及乳化型;(3)金剛石研磨液粘度可調整,包含低粘度、中等粘度和高粘度;吉致電子金剛石懸浮液/研磨液應用領(lǐng)域:1、拋光液CMP半導體晶片加工:藍寶石、碳化硅、氮化鎵等半導體晶片;2、拋光液陶瓷加工:氧化鋯指紋識別片、氧化鋯陶瓷手機后殼及其它功能陶瓷;3、拋光液用于金屬材料加工:不銹鋼、模具鋼、鋁合金及其它金屬材料。吉致電子CMP研發(fā)生產(chǎn)廠(chǎng)家,產(chǎn)品質(zhì)量和效果媲美進(jìn)口slurry,CMP拋光液粒度規

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研磨液廠(chǎng)家--- 什么是CMP研磨液Slurry
研磨液廠(chǎng)家--- 什么是CMP研磨液Slurry

  CMP研磨液(Slurry)是化學(xué)機械平面工藝中的研磨材料和化學(xué)添加劑的混合物。Slurry主要是由磨料 、表面活性劑、氧化劑、PH緩沖膠和防腐劑等成分組成。其中磨料一般包括二氧化硅(SiO2)、 三氧化二鋁(Al2O3)、 氧化鈰(CeO2),金剛石(單晶、多晶)等。  通俗來(lái)講,芯片制造就像蓋高樓,一層一層往上疊加,要想樓不塌,在制造下一層前必須確保本層的平坦度,這就是CMP平坦化的訴求。Wafer晶圓在制造過(guò)程中表面上是不平坦的,比如CVD、PVD、EPI、Tungsten Plug等

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