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藍寶石激光領(lǐng)域視窗拋光液
藍寶石激光領(lǐng)域視窗拋光液

  藍寶石激光領(lǐng)域視窗具有 Mohs 9硬度、平整度到<1/20λ,表面粗糙度0.3nm。按照尺寸從0.5英寸 到30英寸和不同壁厚度的規格制造,包括階梯邊緣、橢圓形邊緣望造、孔、槽和楔角。  藍寶激光領(lǐng)域視窗對快速移動(dòng)的沙子、鹽水和其他顆粒物具有抵抗力,非常適合所有類(lèi)型的激光武器系統、大功率微波和其他需要極其平坦和堅固的光學(xué)技術(shù)的應用。  吉致電子藍寶石激光領(lǐng)域視窗拋光液,具有良好的穩定性,提高藍寶石視窗片拋光速率的同時(shí)保證藍寶石表面光滑、無(wú)缺陷的全局平坦化質(zhì)量。無(wú)錫吉致電子科

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半導體晶圓CMP化學(xué)機械研磨拋光的原因
半導體晶圓CMP化學(xué)機械研磨拋光的原因

 什么是CMP化學(xué)機械研磨拋光?CMP(Chemical Mechanical Polishing)其實(shí)為化學(xué)與機械研磨(C&MP)的意思,化學(xué)作用與機械作用平等。目前CMP已成為半導體制程主流,其重要的原因主要有二:①為了縮小芯片面積,因此采用集成度高、細線(xiàn)化的多層金屬互連線(xiàn)(七層以上),因線(xiàn)寬極細,且需多層堆疊,故光刻制程即為一關(guān)鍵步驟。若晶圓表面凹凸不平,平坦度差,則會(huì )影響光刻精確度,因此需以CMP達成晶圓上金屬層間之全面平坦化(Global Planarization)。②為了降低元件之電

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SiC碳化硅襯底加工的主要步驟
SiC碳化硅襯底加工的主要步驟

SiC碳化硅襯底加工的主要分為9個(gè)步驟:晶面定向、外圓滾磨、端面磨、線(xiàn)切、倒角、減薄、CMP研磨、CMP拋光以及清洗。1.晶面定向:使用 X 射線(xiàn)衍射法為晶錠定向,當一束 X 射線(xiàn)入射到需要定向的晶面后,通過(guò)衍射光束的角度來(lái)確定晶面的晶向。2.外圓滾磨:在石墨坩堝中生長(cháng)的單晶的直徑大于標準尺寸,通過(guò)外圓滾磨將直徑減小到標準尺寸。3.端面磨:SiC 襯底一般有兩個(gè)定位邊,主定位邊與副定位邊,通過(guò)端面磨開(kāi)出定位邊。4.線(xiàn)切割:線(xiàn)切割是碳化硅SiC 襯底加工過(guò)程中一道較為重要的工序。線(xiàn)切過(guò)程中造成的裂紋損傷、殘留的亞表面

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LT鉭酸鋰晶片的CMP拋光液
LT鉭酸鋰晶片的CMP拋光液

鉭酸鋰LiTaO3作為非線(xiàn)性光學(xué)晶體、電光晶體、壓電晶體、聲光晶體和雙折射晶體等在現今以光技術(shù)產(chǎn)業(yè)為中心的IT 產(chǎn)業(yè)中得到了廣泛的應用。 晶體材料的結構與其光學(xué)性能息息相關(guān),鉭酸鋰LT晶體是一種優(yōu)良的多功能材料,具有很高的應用價(jià)值。LiTaO3晶體以它的化學(xué)性能穩定高(不溶與水),居里點(diǎn)高于600℃,不易出現退極化現象,介電損耗低,探測率優(yōu)值高的優(yōu)良特性,成為熱釋電紅外探測器的應用材料。  經(jīng)過(guò)CMP拋光的LT晶片廣泛用于諧振器、濾波器、換能器等電子通訊器件的制造,尤其以它良好的機電耦合、溫度系數等綜合性

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吉致電子主要業(yè)務(wù)及CMP產(chǎn)品有哪些
吉致電子主要業(yè)務(wù)及CMP產(chǎn)品有哪些

吉致電子科技有限公司的主要業(yè)務(wù)及服務(wù)行業(yè)有:半導體集成電路、金屬行業(yè)、光電行業(yè)、陶瓷行業(yè)等。CMP產(chǎn)品包括:拋光液、拋光墊、清洗劑、其他研磨拋光耗材等。吉致電子致力于產(chǎn)品質(zhì)量嚴格管控,多年研發(fā)經(jīng)驗技術(shù),已為數家百強企業(yè)提供拋光解決方案并長(cháng)期合作。吉致電子CMP拋光液產(chǎn)品主要包括以下系列:半導體集成電路:Si wafer slurry / SiC wafer slurry / W slurry / IC CU slurry / Oxide slurry / 3D TSV CU slurry / FA slurry /

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芯片制造為什么使用單晶硅做襯底
芯片制造為什么使用單晶硅做襯底

芯片制造中為什么都喜歡用單晶硅作為襯底材料呢?那是因為單晶硅片具有以下優(yōu)點(diǎn):?jiǎn)尉Ч杵前雽w器件制造的基礎材料,應用廣泛。計算機芯片、智能手機中的處理器、存儲器.傳感器等都是使用單晶硅片制造的。單晶硅具有顯著(zhù)的半導體性能:?jiǎn)尉Ч枋且环N半導體材料,具有較弱的導電性。該材料的電導率受光、電、磁、溫度等因素的影響,隨著(zhù)溫度的升高而增加。超純的單晶硅屬于本征半導體,但在其中摻入亞A族元素,如硼,則可形成p型硅半導體,摻入微量的VA族元素,如磷或砷,則可形成n型硅半導體。通過(guò)擴散作用,將p型半導體與n型半導體制作在同一塊半導

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吉致電子--GaN氮化鎵CMP拋光的重要性
吉致電子--GaN氮化鎵CMP拋光的重要性

  氮化鎵(GaN)是一種具有廣泛應用前景的半導體材料,具有優(yōu)異的電子特性和光學(xué)性能。在現代電子設備中,氮化鎵被廣泛應用于 LED 顯示屏、激光器、功率放大器等領(lǐng)域,并且在未來(lái)的 5G 通訊、電動(dòng)汽車(chē)等領(lǐng)域也具有巨大的發(fā)展潛力。然而,氮化鎵在制備過(guò)程中容易受到表面缺陷的影響,影響其性能和穩定性,所以氮化鎵拋光工藝顯得尤為重要,淺談一下氮化鎵CMP拋光的重要性。 氮化鎵CMP拋光的重要性主要體現在以下幾個(gè)方面:1,提高器件的光電性能:氮化鎵材料用于制作 LED和LD等光電器件其表面質(zhì)量影響著(zhù)器件的

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吉致電子--襯底與晶圓CMP磨拋工藝的區別
吉致電子--襯底與晶圓CMP磨拋工藝的區別

  在半導體制造過(guò)程中,襯底和晶圓是兩個(gè)常見(jiàn)的術(shù)語(yǔ)。它們扮演著(zhù)重要的角色,但在定義、結構和用途上存在一些差異和區別。  襯底---作為基礎層的材料,承載著(zhù)芯片和器件。它通常是一個(gè)硅片或其他材料的薄片,作為承載芯片和電子器件的基礎。襯底可以看作是半導體器件的“地基”。襯底的CMP磨拋工藝主要關(guān)注其表面的平整度、清潔度和粗糙度,確保后續工藝如外延生長(cháng)、薄膜沉積等能夠順利進(jìn)行。  晶圓---則是從襯底中切割出來(lái)的圓形硅片,作為半導體芯片的主要基板。晶圓的CMP磨拋工藝

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吉致電子--單晶硅與多晶硅的區別
吉致電子--單晶硅與多晶硅的區別

吉致電子粒徑小于100nm的球形氧化鈰拋光液可用于單晶硅片表面CMP及多晶硅CMP。下面簡(jiǎn)單談?wù)剢尉Ч韬投嗑Ч璧膮^別: 單晶硅和多晶硅是兩種不同的硅材料,它們的主要區別在于晶體結構、物理性質(zhì)和用途等方面。  ①晶體排列組成不一樣:  單晶硅是由許多晶體周期性排列而成的,其晶體結構具有高度的有序性和一致性,因此其晶體內部的原子排列和晶體缺陷都比較少。  多晶硅是由許多小的晶體組成的,每個(gè)小晶體的晶體結構都有一定的差異,因此其晶體內部的原子排列和晶體缺陷都比較復雜。 ②

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看懂SIC碳化硅襯底研磨加工技術(shù)
看懂SIC碳化硅襯底研磨加工技術(shù)

碳化硅SiC襯底因其脆硬性特性再疊加大尺寸化、超薄化的放大效應,給現有的加工技術(shù)帶來(lái)了巨大的挑戰,被視為典型難加工材料。高效率、高質(zhì)量的碳化硅襯底加工技術(shù)成了當下的研究熱點(diǎn)。  碳化硅相較于第一、二代半導體材料具有更優(yōu)良的熱學(xué)、電學(xué)性能,如寬禁帶、高導熱、高溫度穩定 性和低介電常數等,這些優(yōu)勢使得以碳化硅為代表的寬禁帶半導體材料廣泛應用于高溫、高頻、高功率 以及抗輻射等極端工況.作為高性能微電子和光 電子器件制造的襯底基片,碳化硅襯底加工后的表面、亞表面質(zhì)量對器件的使用性能有著(zhù)極為重要的影響。因

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SiC碳化硅應用領(lǐng)域有哪些?
SiC碳化硅應用領(lǐng)域有哪些?

碳化硅材料主要包括單晶和陶瓷兩大類(lèi),無(wú)論是作為單晶還是陶瓷,碳化硅材料目前已成為半導體、新能源汽車(chē)、光伏等三大干億賽道的關(guān)鍵材料之一。例如:單晶方面:碳化硅作為目前發(fā)展最成熟的第三代半導體材料,可謂是近年來(lái)最火熱的半導體材料。尤其是在“雙碳”戰略背景下,碳化硅被深度綁定新能源汽車(chē)、光伏、儲能等節能減碳行業(yè),萬(wàn)眾矚目。陶瓷方面:碳化硅憑借其優(yōu)異的高溫強度、高硬度、高彈性模量、高耐磨性、高導熱性、耐腐蝕性等性能,近年來(lái)隨著(zhù)新能源汽車(chē)、半導體、光伏等行業(yè)的起飛而需求爆發(fā),深深地滲入到這些新興領(lǐng)域的

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半導體襯底和外延的區別是什么?
半導體襯底和外延的區別是什么?

  在半導體產(chǎn)業(yè)鏈中,特別是第三代半導體(寬禁帶半導體)產(chǎn)業(yè)鏈中,會(huì )有襯底及外延層之分,那外延層的存在有何意義?和襯底的區別是什么呢?  在第三代半導體產(chǎn)業(yè)鏈,晶圓制備過(guò)程中存在兩個(gè)重要環(huán)節:①是襯底的制備,②是外延工藝的實(shí)施。這兩個(gè)環(huán)節的區別是怎樣的,存在的意義又有何不同?  襯底由半導體單晶材料精心打造的晶圓片,可以作為基礎直接投入晶圓制造的流程來(lái)生產(chǎn)半導體器件,或者進(jìn)一步通過(guò)外延工藝來(lái)增強性能

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CMP設備及耗材對半導體硅片拋磨有影響嗎?
CMP設備及耗材對半導體硅片拋磨有影響嗎?

CMP設備及耗材對工藝效果影響嗎?答案是:有關(guān)鍵影響。CMP工藝離不開(kāi)設備機臺及耗材,其中耗材包括拋光墊和拋光液。影響CMP效果主要因素如下:①設備參數:拋光時(shí)間、研磨盤(pán)轉速、拋光頭轉速、拋光頭搖擺度、背壓、下壓力等;②研磨液參數:磨粒大小、磨粒含量、磨粒凝聚度、酸堿度、氧化劑含量、流量、粘滯 系數等 ;③拋光墊參數:硬度、密度、空隙大小、彈性等;④CMP對象薄膜參數:種類(lèi)、厚度、硬度、化學(xué)性質(zhì)、圖案密度等。CMP耗材包括拋光液、拋光墊、鉆石碟、清洗液等,對 CMP 工藝效應均有關(guān)鍵影響。1. CMP 拋

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碳化硅襯底平坦化使用的是什么工藝?
碳化硅襯底平坦化使用的是什么工藝?

  碳化硅是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。  第三代半導體,由于在物理結構上具有能級禁帶寬的特點(diǎn),又稱(chēng)為寬禁帶半導體,主要是以氮化鎵和碳化硅為代表,其在半導體性能特征上與第一代的硅、第二代的砷化鎵有所區別,使得其能夠具備高禁帶寬度、高熱導率、高擊穿場(chǎng)強、高電子飽和漂移速率等優(yōu)勢,從而能夠開(kāi)發(fā)出更適應高溫、高功率、高壓、高頻以及抗輻射等惡劣條件的小型化功率半導體器件,可有效突破傳統硅基功率半導體器件及其材料的物理極限。  化學(xué)

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鈮酸鋰晶體怎么拋光?
鈮酸鋰晶體怎么拋光?

 鈮酸鋰晶體拋光,用吉致電子CMP鈮酸鋰拋光液是有效方法 鈮酸鋰晶體(分子式 LiNbO3簡(jiǎn)稱(chēng) LN)是一種具有鐵電、壓電、熱電、電光、聲電和光折變效應等多種性質(zhì)的功能材料,是目前公認為光電子時(shí)代"光學(xué)硅"的主要候選材料之一。它在超聲器件、光開(kāi)關(guān)、光通訊調制器、二次諧波發(fā)生和光參量振蕩器等方面獲得廣泛應用。  鈮酸鋰晶片的加工質(zhì)量和精度直接影響其器件的性能,因此鈮酸鋰的應用要求晶片表面超光滑、無(wú)缺陷、無(wú)變質(zhì)層。目前,有關(guān)鈮酸鋰晶片的加工特性及其超光滑表面加工技術(shù)的研

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什么是SIC碳化硅襯底的常規雙面磨工藝
什么是SIC碳化硅襯底的常規雙面磨工藝

碳化硅SIC研磨工藝是去除切割過(guò)程中造成碳化硅晶片的表面刀紋以及表面損傷層,修復切割產(chǎn)生的變形。由于SiC的高硬度的特性,CM{研磨過(guò)程中必須使用高硬度的磨料(如碳化硼或金剛石粉)研磨SiC切片的晶體表面。碳化硅襯底常規的CMP研磨工藝一般分為粗磨和精磨。SiC襯底常規雙面磨工藝雙面磨工藝又稱(chēng)DMP工藝,是目前大部分國內碳化硅襯底廠(chǎng)商規?;a(chǎn)的工藝方案,對碳化硅進(jìn)行雙面研磨(粗磨/精磨)達到一定的表面平整度和光潔度。①粗磨:采用鑄鐵盤(pán)+單晶金剛石研磨液雙面研磨的方式該工藝可以有效的去除線(xiàn)割產(chǎn)生的損傷層,修復面型,

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研磨液和拋光液在半導體芯片加工中的應用
研磨液和拋光液在半導體芯片加工中的應用

  磨削和研磨等磨料處理是半導體芯片加工過(guò)程中的一項重要工藝,主要是應用化學(xué)研磨液混配磨料的方式對半導體表面進(jìn)行精密加工,但是研磨會(huì )導致芯片表面的完整性變差。因此,保證拋光的一致性、均勻性和外表粗糙度對生產(chǎn)芯片來(lái) 說(shuō)是十分重要的。拋光和研磨在半導體生產(chǎn)中都起到重要性的作用。一、研磨工藝與拋光工藝研磨工藝是運用涂敷或壓嵌在研具上的磨料顆粒,經(jīng)過(guò)研具與工件在一定壓力下的相對運動(dòng)對加工件表面進(jìn)行的精整加工。研磨可用于加工各種金屬和非金屬材料,工件的外形有平面,內、外圓柱面和圓錐面,凸、凹球面,螺紋,齒面及其他型

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碳化硅SIC襯底的加工難度有哪些?
碳化硅SIC襯底的加工難度有哪些?

  襯底是所有半導體芯片的底層材料,起到物理支撐、導熱、導電等作用。有數據顯示,襯底成本大約占晶圓加工總成本的50%,外延片占25%,器件晶圓制造環(huán)節20%,封裝測試環(huán)節5%。  SiC碳化硅襯底不止貴生產(chǎn)工藝還復雜,與Si硅片相比,SiC很難處理。SiC單晶襯底加工過(guò)程包括單晶多線(xiàn)切割、研磨、拋光、清洗最終得到滿(mǎn)足外延生長(cháng)的襯底片。碳化硅是世界上硬度排名第三的物質(zhì),不僅具有高硬度的特點(diǎn),高脆性、低斷裂韌性也使得其磨削加工過(guò)程中易引起材料的脆性斷裂從而在材料表面留下表面破碎層,且產(chǎn)生較為嚴重的表

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藍寶石研磨液在CMP襯底工件的應用
藍寶石研磨液在CMP襯底工件的應用

  藍寶石研磨液(又稱(chēng)為藍寶石拋光液)是用于在藍寶石襯底的減薄和研磨拋光。  藍寶石研磨液由金剛石微粉、復合分散劑和分散介質(zhì)組成。藍寶石研磨液利用聚晶金剛石的特性,在研磨拋光過(guò)程中保持高切削效率的同時(shí)不易對工件表面產(chǎn)生劃傷。金剛石研磨液可以應用在藍寶石襯底的研磨和減薄、光學(xué)晶體、硬質(zhì)玻璃、超硬陶瓷和合金、磁頭、硬盤(pán)、芯片等領(lǐng)域的研磨和拋光。  吉致電子藍寶石研磨液在藍寶石襯底方面的應用:1.外延片生產(chǎn)前襯底的雙面研磨:用于藍寶石研磨一道或多道工序,根據最終藍寶石襯底研磨要求用6um、3

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CMP制程中拋光墊的作用有哪些?
CMP制程中拋光墊的作用有哪些?

  CMP技術(shù)是使被拋光材料在化學(xué)和機械的共同作用下,材料表面達到所要求的平整度的一個(gè)工藝過(guò)程。拋光液中的化學(xué)成分與材料表面進(jìn)行化學(xué)反應,形成易拋光的軟化層,拋光墊和拋光液中的研磨顆粒對材料表面進(jìn)行物理機械拋光將軟化層除去。  在CMP制程中,拋光墊的主要作用有:①傳遞材料去除所需的機械載荷;②從工件拋光表面除去拋光過(guò)程產(chǎn)生的殘留物(如工件碎屑、拋光碎片等);③使拋光液有效均勻分布至整個(gè)加工區域,且可提供新補充的拋光液進(jìn)行一個(gè)拋光液循環(huán);④維持拋光過(guò)程所需的機械和化學(xué)環(huán)境。除拋光墊的力

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