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SiC碳化硅襯底加工的主要步驟[ 06-21 15:45 ]
SiC碳化硅襯底加工的主要分為9個(gè)步驟:晶面定向、外圓滾磨、端面磨、線(xiàn)切、倒角、減薄、CMP研磨、CMP拋光以及清洗。1.晶面定向:使用 X 射線(xiàn)衍射法為晶錠定向,當一束 X 射線(xiàn)入射到需要定向的晶面后,通過(guò)衍射光束的角度來(lái)確定晶面的晶向。2.外圓滾磨:在石墨坩堝中生長(cháng)的單晶的直徑大于標準尺寸,通過(guò)外圓滾磨將直徑減小到標準尺寸。3.端面磨:SiC 襯底一般有兩個(gè)定位邊,主定位邊與副定位邊,通過(guò)端面磨開(kāi)出定位邊。4.線(xiàn)切割:線(xiàn)切割是碳化硅SiC 襯底加工過(guò)程中一道較為重要的工序。線(xiàn)切過(guò)程中造成的裂紋損傷、殘留的亞表面
芯片制造為什么使用單晶硅做襯底[ 05-31 17:27 ]
芯片制造中為什么都喜歡用單晶硅作為襯底材料呢?那是因為單晶硅片具有以下優(yōu)點(diǎn):?jiǎn)尉Ч杵前雽w器件制造的基礎材料,應用廣泛。計算機芯片、智能手機中的處理器、存儲器.傳感器等都是使用單晶硅片制造的。單晶硅具有顯著(zhù)的半導體性能:?jiǎn)尉Ч枋且环N半導體材料,具有較弱的導電性。該材料的電導率受光、電、磁、溫度等因素的影響,隨著(zhù)溫度的升高而增加。超純的單晶硅屬于本征半導體,但在其中摻入亞A族元素,如硼,則可形成p型硅半導體,摻入微量的VA族元素,如磷或砷,則可形成n型硅半導體。通過(guò)擴散作用,將p型半導體與n型半導體制作在同一塊半導
吉致電子--GaN氮化鎵CMP拋光的重要性[ 05-31 17:13 ]
  氮化鎵(GaN)是一種具有廣泛應用前景的半導體材料,具有優(yōu)異的電子特性和光學(xué)性能。在現代電子設備中,氮化鎵被廣泛應用于 LED 顯示屏、激光器、功率放大器等領(lǐng)域,并且在未來(lái)的 5G 通訊、電動(dòng)汽車(chē)等領(lǐng)域也具有巨大的發(fā)展潛力。然而,氮化鎵在制備過(guò)程中容易受到表面缺陷的影響,影響其性能和穩定性,所以氮化鎵拋光工藝顯得尤為重要,淺談一下氮化鎵CMP拋光的重要性。 氮化鎵CMP拋光的重要性主要體現在以下幾個(gè)方面:1,提高器件的光電性能:氮化鎵材料用于制作 LED和LD等光電器件其表面質(zhì)量影響著(zhù)器件的
吉致電子--襯底與晶圓CMP磨拋工藝的區別[ 05-29 15:44 ]
  在半導體制造過(guò)程中,襯底和晶圓是兩個(gè)常見(jiàn)的術(shù)語(yǔ)。它們扮演著(zhù)重要的角色,但在定義、結構和用途上存在一些差異和區別。  襯底---作為基礎層的材料,承載著(zhù)芯片和器件。它通常是一個(gè)硅片或其他材料的薄片,作為承載芯片和電子器件的基礎。襯底可以看作是半導體器件的“地基”。襯底的CMP磨拋工藝主要關(guān)注其表面的平整度、清潔度和粗糙度,確保后續工藝如外延生長(cháng)、薄膜沉積等能夠順利進(jìn)行。  晶圓---則是從襯底中切割出來(lái)的圓形硅片,作為半導體芯片的主要基板。晶圓的CMP磨拋工藝
吉致電子--單晶硅與多晶硅的區別[ 05-23 18:01 ]
吉致電子粒徑小于100nm的球形氧化鈰拋光液可用于單晶硅片表面CMP及多晶硅CMP。下面簡(jiǎn)單談?wù)剢尉Ч韬投嗑Ч璧膮^別: 單晶硅和多晶硅是兩種不同的硅材料,它們的主要區別在于晶體結構、物理性質(zhì)和用途等方面。  ①晶體排列組成不一樣:  單晶硅是由許多晶體周期性排列而成的,其晶體結構具有高度的有序性和一致性,因此其晶體內部的原子排列和晶體缺陷都比較少。  多晶硅是由許多小的晶體組成的,每個(gè)小晶體的晶體結構都有一定的差異,因此其晶體內部的原子排列和晶體缺陷都比較復雜。 ②
SiC碳化硅應用領(lǐng)域有哪些?[ 04-30 18:03 ]
碳化硅材料主要包括單晶和陶瓷兩大類(lèi),無(wú)論是作為單晶還是陶瓷,碳化硅材料目前已成為半導體、新能源汽車(chē)、光伏等三大干億賽道的關(guān)鍵材料之一。例如:單晶方面:碳化硅作為目前發(fā)展最成熟的第三代半導體材料,可謂是近年來(lái)最火熱的半導體材料。尤其是在“雙碳”戰略背景下,碳化硅被深度綁定新能源汽車(chē)、光伏、儲能等節能減碳行業(yè),萬(wàn)眾矚目。陶瓷方面:碳化硅憑借其優(yōu)異的高溫強度、高硬度、高彈性模量、高耐磨性、高導熱性、耐腐蝕性等性能,近年來(lái)隨著(zhù)新能源汽車(chē)、半導體、光伏等行業(yè)的起飛而需求爆發(fā),深深地滲入到這些新興領(lǐng)域的
半導體襯底和外延的區別是什么?[ 04-30 16:39 ]
  在半導體產(chǎn)業(yè)鏈中,特別是第三代半導體(寬禁帶半導體)產(chǎn)業(yè)鏈中,會(huì )有襯底及外延層之分,那外延層的存在有何意義?和襯底的區別是什么呢?  在第三代半導體產(chǎn)業(yè)鏈,晶圓制備過(guò)程中存在兩個(gè)重要環(huán)節:①是襯底的制備,②是外延工藝的實(shí)施。這兩個(gè)環(huán)節的區別是怎樣的,存在的意義又有何不同?  襯底由半導體單晶材料精心打造的晶圓片,可以作為基礎直接投入晶圓制造的流程來(lái)生產(chǎn)半導體器件,或者進(jìn)一步通過(guò)外延工藝來(lái)增強性能
CMP設備及耗材對半導體硅片拋磨有影響嗎?[ 03-20 17:22 ]
CMP設備及耗材對工藝效果影響嗎?答案是:有關(guān)鍵影響。CMP工藝離不開(kāi)設備機臺及耗材,其中耗材包括拋光墊和拋光液。影響CMP效果主要因素如下:①設備參數:拋光時(shí)間、研磨盤(pán)轉速、拋光頭轉速、拋光頭搖擺度、背壓、下壓力等;②研磨液參數:磨粒大小、磨粒含量、磨粒凝聚度、酸堿度、氧化劑含量、流量、粘滯 系數等 ;③拋光墊參數:硬度、密度、空隙大小、彈性等;④CMP對象薄膜參數:種類(lèi)、厚度、硬度、化學(xué)性質(zhì)、圖案密度等。CMP耗材包括拋光液、拋光墊、鉆石碟、清洗液等,對 CMP 工藝效應均有關(guān)鍵影響。1. CMP 拋
什么是SIC碳化硅襯底的常規雙面磨工藝[ 03-07 17:22 ]
碳化硅SIC研磨工藝是去除切割過(guò)程中造成碳化硅晶片的表面刀紋以及表面損傷層,修復切割產(chǎn)生的變形。由于SiC的高硬度的特性,CM{研磨過(guò)程中必須使用高硬度的磨料(如碳化硼或金剛石粉)研磨SiC切片的晶體表面。碳化硅襯底常規的CMP研磨工藝一般分為粗磨和精磨。SiC襯底常規雙面磨工藝雙面磨工藝又稱(chēng)DMP工藝,是目前大部分國內碳化硅襯底廠(chǎng)商規?;a(chǎn)的工藝方案,對碳化硅進(jìn)行雙面研磨(粗磨/精磨)達到一定的表面平整度和光潔度。①粗磨:采用鑄鐵盤(pán)+單晶金剛石研磨液雙面研磨的方式該工藝可以有效的去除線(xiàn)割產(chǎn)生的損傷層,修復面型,
CMP制程中拋光墊的作用有哪些?[ 02-21 16:15 ]
  CMP技術(shù)是使被拋光材料在化學(xué)和機械的共同作用下,材料表面達到所要求的平整度的一個(gè)工藝過(guò)程。拋光液中的化學(xué)成分與材料表面進(jìn)行化學(xué)反應,形成易拋光的軟化層,拋光墊和拋光液中的研磨顆粒對材料表面進(jìn)行物理機械拋光將軟化層除去。  在CMP制程中,拋光墊的主要作用有:①傳遞材料去除所需的機械載荷;②從工件拋光表面除去拋光過(guò)程產(chǎn)生的殘留物(如工件碎屑、拋光碎片等);③使拋光液有效均勻分布至整個(gè)加工區域,且可提供新補充的拋光液進(jìn)行一個(gè)拋光液循環(huán);④維持拋光過(guò)程所需的機械和化學(xué)環(huán)境。除拋光墊的力
CMP化學(xué)機械拋光在半導體領(lǐng)域的重要作用[ 12-21 11:53 ]
  化學(xué)機械拋光(CMP)是半導體晶圓制造的關(guān)鍵步驟,這項工藝能有效減少和降低晶圓表面的不平整,達到半導體加工所需的高精度平面要求。拋光液(slurry)、拋光墊(pad)是CMP技術(shù)的關(guān)鍵耗材,分別占CMP耗材49%和33%的價(jià)值量,CMP耗材品質(zhì)直接影響拋光效果,對提高晶圓制造質(zhì)量至關(guān)重要。  CMP拋光液/墊技術(shù)壁壘較高,高品質(zhì)的拋光液需要綜合控制磨料硬度、粒徑、形狀、各成分質(zhì)量濃度等要素。拋光墊則更加看重低缺陷率和長(cháng)使用壽命。配置多功能,高效率的拋光液是提升CMP效果的重要環(huán)節。&nbs
第三代半導體--碳化硅和氮化鎵的區別[ 11-03 17:35 ]
  隨著(zhù)國家對第三代半導體材料的重視,近年來(lái)我國半導體材料市場(chǎng)發(fā)展迅猛,其中以碳化硅SiC與氮化鎵NaG為主的材料備受關(guān)注,兩者經(jīng)常被拿來(lái)比較。  同為寬近帶半導體的成員,碳化硅SiC與氮化鎵NaG有何相同、有何不同呢?碳化硅與氮化家均屬于寬禁帶半導體材料,它們具有禁代寬度大、電子漂移飽和速度高、介電常數小、導電性能好的特點(diǎn)。  隨著(zhù)市場(chǎng)對半導體器件微型化、導熱性的高要求,這類(lèi)材料的市場(chǎng)需求暴漲,適用于制作抗輻射、高頻、大功率和高密度集成的電子器件。  ①性能不同:高電子遷移
藍寶石襯底拋光液--納米氧化鋁拋光液/研磨液[ 10-31 16:46 ]
  氧化鋁拋光液在LED行業(yè)的應用廣泛,如藍寶石襯底的CMP拋光,為避免大粒徑磨料對工件造成劃傷,通常選用粒徑為50∼200nm,且粒徑分布均勻的納米α-Al2O3磨料。為了確保藍寶石襯底能拋出均勻的鏡面光澤,需要提升CMP拋光液的切削速率及平坦化效果,吉致電子科技生產(chǎn)的氧化鋁拋光液/研磨液可專(zhuān)業(yè)用于藍寶石拋光,氧化鋁磨料具有分布窄,粒徑小,硬度高、尺寸穩定性好,α相轉晶完全,團聚小易分散等特點(diǎn)。  吉致電子對α-Al2O3顆粒的Zeta電位,以及拋光液添加穩定劑、分散劑的種類(lèi)和質(zhì)量都有
半導體拋光中銅拋光液和鎢拋光液的區別[ 08-18 16:58 ]
  常用的半導體拋光液,按拋光對象的不同分W鎢拋光液、CU銅拋光液、氧化層拋光液、STI拋光液等。其中銅拋光液slurry主要應用于 130nm 及以下技術(shù)節點(diǎn)邏輯芯片的制造工藝,而鎢拋光液W slurry則大量應用于存儲芯片制造工藝,在邏輯芯片中用量較少。  銅拋光液,主要由腐蝕劑、成膜劑和納米磨料組成。腐蝕劑用來(lái)腐蝕溶解銅表面,成膜劑用于形成銅表面的鈍化膜,鈍化膜的形成可以保護腐蝕劑的進(jìn)一步腐蝕,并可有效地降低金屬表面硬度。除此之外,CMP拋光液中經(jīng)常添加一些化學(xué)試劑以調節PH值,為拋光過(guò)程
打磨碳化硅需要哪種拋光墊?[ 08-17 16:41 ]
  打磨碳化硅需要哪種拋光墊?  打磨碳化硅襯底分研磨和拋光4道工序:粗磨、精磨、粗拋、精拋。拋光墊的選擇根據CMP工藝制程的不同搭配不同的研磨墊:粗磨墊/精磨墊/粗拋墊/精拋墊  吉致電子CMP拋光墊滿(mǎn)足低、中及高硬度材料拋光需求,具有高移除率、高平坦性、低缺陷和高性?xún)r(jià)比等優(yōu)勢。結合硬質(zhì)和軟質(zhì)研磨拋光墊的優(yōu)點(diǎn),可兼顧工件的平坦度與均勻度碳化硅研磨選擇吉致無(wú)紡布復合拋光墊,提供更快磨合的全局平坦性,提升碳化硅晶圓制程的穩定性與尺寸精密度。  壓紋和開(kāi)槽工藝,讓PAD可保持拋光
二氧化硅拋光液與硅溶膠拋光液有啥不同[ 08-11 16:04 ]
  二氧化硅拋光液是以高純度硅粉為原料,經(jīng)特殊工藝制備成的一種低金屬離子高純度CMP拋光產(chǎn)品。 硅溶膠拋光液是以液體形式存在,直徑為10-150nm的二氧化硅粒子(分散相)在水或有機液體(分散介質(zhì))里的分散體系,粒子的形貌多為球形,適用于各類(lèi)工件的鏡面拋光,如金屬、藍寶石襯底、半導體、光學(xué)玻璃、精密電子元器件等的鏡面拋光。 本質(zhì)上講二氧化硅拋光液、硅溶膠拋光液都是一種東西,主要成分都是SiO2只是叫法不同。在CMP研磨拋光工藝中,機器通過(guò)壓力泵把氧化硅拋光液輸送到拋光槽內進(jìn)行循環(huán)使用,
碳化硅Sic襯底加工流程有哪些[ 08-09 17:14 ]
碳化硅襯底是以高純硅粉和高純碳粉作為原材料,采用物理氣相傳輸法生長(cháng)碳化硅晶體,加工制成碳化硅晶片,簡(jiǎn)單流程可概括為原料合成→晶體生長(cháng)→。1、原料合成將高純硅粉和高純碳粉按一定配比混合,在 2000C以上的高溫下反應合成碳化硅顆粒。再經(jīng)過(guò)破碎、清洗等工序,制得滿(mǎn)足晶體生長(cháng)要求的高純度碳化硅微粉原料。2、晶體生長(cháng)以高純度碳化硅微粉為原料,使用自主研制的晶體生長(cháng)爐,采用物理氣相傳輸法 (PVT 法) 生長(cháng)碳化硅晶體將高純碳化硅微粉和籽晶分別置于單晶生長(cháng)爐內圓柱狀密閉的石墨甘場(chǎng)下部和頂部,通過(guò)電磁感應將
半導體拋光---硅片拋光墊怎么選[ 08-08 16:31 ]
  硅片拋光涉及到半導體工件的技術(shù)加工領(lǐng)域,硅片拋光墊的多孔結構和軟性磨料材料,可以適應不同硅片材料的表面結構,達到不同表面加工的需求。在微電子、半導體、光電等領(lǐng)域中,CMP拋光墊的使用越來(lái)越廣泛,尤其是在制造高性能晶體管、集成電路和MEMS等微納米器件中,CMP拋光墊的質(zhì)量和性能至關(guān)重要。   硅片拋光墊的主要作用有:①使拋光液有效均勻分布至整個(gè)加工區域,且可提供新補充的拋光液進(jìn)行一個(gè)拋光液循環(huán);②從工件拋光表面除去拋光過(guò)程產(chǎn)生的殘留物(如拋光碎屑、拋光碎片等);③傳遞材料去除所需的
藍寶石拋光用什么拋光液[ 07-28 17:29 ]
  在生產(chǎn)藍寶石襯底的時(shí)候產(chǎn)生裂痕和崩邊現象的比例比較高,占總是的5%-8%。我國藍寶石批量生產(chǎn)的技術(shù)還很不成熟,切割完的藍寶石晶片有很深的加工痕跡,拋光后易形成很深的麻坑或劃傷。因此需要通過(guò)CMP研磨拋光技術(shù)來(lái)達到工件平坦度,拋光過(guò)程中影響拋光質(zhì)量的因素有很多,如拋光液的組分和PH值、壓力、溫度、流量、轉速和拋光墊的質(zhì)量等。  藍寶石晶圓的拋光需要對拋光液材質(zhì)有很高的要求,磨料太軟會(huì )導致拋光時(shí)間過(guò)長(cháng)而拋光效果不理想。目前拋藍寶石合適的是鉆石拋光液,鉆石拋光液磨料是采用金剛石,有很高的硬度,搭配
鎢鋼用什么研磨液和拋光液[ 06-07 11:22 ]
  硬質(zhì)合金也就是鎢鋼,在現代工業(yè)中的應用非常廣泛,如鋼鐵、交通、建筑等領(lǐng)域對硬質(zhì)合金的需求愈發(fā)旺盛,隨著(zhù)對深加工產(chǎn)品需求的高漲,硬質(zhì)合金將向精深加工、工具配套方向發(fā)展;向超細、超粗及涂層復合結構等方向發(fā)展;向循環(huán)經(jīng)濟、節能環(huán)保方向發(fā)展;向精密化、小型化方向發(fā)展。那么鎢鋼研磨用什么拋光液?  鎢鋼用于高精度機械加工、高精度刀具材料、車(chē)床、沖擊鉆鉆頭、玻璃刀刀頭、瓷磚割刀之上。這類(lèi)硬質(zhì)工件需要經(jīng)過(guò)研磨拋光工藝來(lái)達到使用標準。鎢鋼特點(diǎn)是耐磨、硬度高、韌性強,耐腐蝕等一系列優(yōu)良性能,尤其它的高硬度和耐
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